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Ni、Al摻雜SiC薄膜的制備及性質研究

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Ni、Al摻雜SiC薄膜的制備及性質研究
論文目錄
 
摘要第1-6頁
Abstract第6-8頁
第一章 緒論第8-21頁
  1.1 引言第8-9頁
  1.2 稀磁半導體第9-12頁
    1.2.1 自旋電子學研究概述第9-10頁
    1.2.2 物質磁性的分類第10頁
    1.2.3 稀磁半導體材料概述第10-11頁
    1.2.4 稀磁半導體材料磁性來源研究第11-12頁
  1.3 SiC半導體材料簡介第12-14頁
    1.3.1 SiC材料的結構與性質第12-14頁
    1.3.2 SiC材料的應用第14頁
  1.4 SiC稀磁半導體的研究進展第14-19頁
    1.4.1 SiC稀磁半導體的制備方法第14-18頁
    1.4.2 SiC稀磁半導體材料的國內外研究進展第18-19頁
  1.5 本文主要研究目標及內容第19-21頁
第二章 SiC薄膜的制備方法與表征手段第21-33頁
  2.1 實驗材料與實驗儀器第21-27頁
    2.1.1 濺射靶材及襯底材料第21-24頁
    2.1.2 超高真空多靶磁控濺射鍍膜系統第24-26頁
    2.1.3 高真空熱處理系統第26-27頁
  2.2 薄膜材料的表征與性能測試第27-32頁
    2.2.1 X射線衍射儀(XRD)第28-29頁
    2.2.2 拉曼光譜儀(RAMAN)第29-30頁
    2.2.3 掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜儀(EDS)第30-31頁
    2.2.4 振動式樣品磁強計(VSM)第31-32頁
    2.2.5 反射光譜儀第32頁
  2.3 本章小結第32-33頁
第三章 Ni、Co、Al摻雜石墨基SiC稀磁半導體薄膜的制備、表征與性能分析第33-55頁
  3.1 Ni、Co、Al摻雜熱解石墨襯底SiC薄膜的制備第33-34頁
  3.2 Ni摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜的影響第34-42頁
    3.2.1 Ni摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜晶體結構的影響第35-38頁
    3.2.2 Ni摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜表面形貌的影響第38-39頁
    3.2.3 Ni摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜磁學性質的影響第39-40頁
    3.2.4 Ni摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜光學性質的影響第40-41頁
    3.2.5 小結第41-42頁
  3.3 Co摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜的影響第42-48頁
    3.3.1 Co摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜晶體結構的影響第43-45頁
    3.3.2 Co摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜表面形貌的影響第45頁
    3.3.3 Co摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜磁學性質的影響第45-47頁
    3.3.4 小結第47-48頁
  3.4 Al摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜的影響第48-54頁
    3.4.1 Al摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜晶體結構的影響第49-51頁
    3.4.2 Al摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜表面形貌的影響第51-52頁
    3.4.3 Al摻雜量對熱解石墨襯底SiC薄膜磁學性質的影響第52-53頁
    3.4.4 小結第53-54頁
  3.5 本章小結第54-55頁
第四章 總結與展望第55-58頁
致謝第58-59頁
參考文獻第59-64頁
發表論文和科研情況說明第64-65頁

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